先進製程競爭，是否代表新設備愈早導入愈好？台積電（2330）董事長暨總裁魏哲家今（15）日在法說會回應High NA EUV導入時點時表示，公司目前規畫2030年開始採用，評估關鍵包括技術、合理成本與成熟度。他並不認為，競爭者較早使用這類設備，就使台積電處於技術劣勢。法人在問答時指出，部分競爭者已採用、或規畫比台積電更早導入高數值孔徑極紫外光微影設備（Hig......
晶圓代工龍頭台積電（2330）與半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）宣布發起產業合作，共同推動High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋，目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓12吋High NA EUV微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。台積電指出，擴大光罩尺寸有望提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，同時解除High NA EUV......
高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術正從先進邏輯晶片跨入記憶體製造。Samsung Electronics今（8）日宣布擴大與艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）的策略合作，計畫於2028年前將High NA EUV導入未來DRAM大量製造，並以業界首度在DRAM量產採用這項技術為目標。除了布局DRAM，Samsung也將加入下一代12吋......
繼台積電（2330）宣布攜手艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）推動12吋High NA EUV光罩後，英特爾（Intel，NASDAQ：INTC）今（8）日也公布最新進展。Intel Foundry目前已在大量製造環境中使用High NA EUV，並將其導入Intel 18A部分製程層、生產部分代號Panther Lake的Intel Core U......
全球晶圓製造龍頭台積電與曝光機大廠艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起合作，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，計劃於2031年前建立試產線，2033年導入先進製程量產。台積電與ASML表示，從6吋光罩轉移至12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製......
為替高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術進入先進製程量產掃除雙光罩拼接限制，台積電（2330）與全球微影設備大廠艾司摩爾（ASML，NASDAQ：ASML）今（8）日宣布展開產業合作，將High NA EUV光罩由現行6吋升級至12吋。雙方目標於2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前讓相關微影系統全面就緒，支援先進製程量產。台積電並表......
High NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影）把數值孔徑從0.33提高至0.55，帶來更高解析度及成像對比，卻也同時縮小景深與曝光視場，衍生對焦裕度不足、晶片圖形必須拼接兩大難題。ASML（NASDAQ：ASML；Euronext Amsterdam：ASML）High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan ......
High NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影）正式跨越研發驗證，邁向高量產製造。ASML（NASDAQ：ASML；Euronext Amsterdam：ASML）High NA EUV產品管理資深副總裁Greet Storms於SEMICON Taiwan 2026指出，EXE:5200B已在AB模式下達到每小時135片晶圓的驗收產能，全球EXE系統累計曝......
-當全球半導體產業仍聚焦2奈米量產之際，台積電（2330）已開始規畫下一個世代的技術藍圖。董事長暨總裁魏哲家於法說會中表示，2奈米製程已順利進入量產軌道，A14製程也將於2027年開始試產、2028年量產。而市場關注的High NA EUV（高數值孔徑極紫外光曝光）設備，台積電並不急於搶先導入，而是將依據技術成熟度、量產能力及成本效益三大條件決定時機。魏哲家......
AI帶動的半導體投資熱潮持續延燒，全球微影設備龍頭ASML於15日公布2026年第二季財報，不僅營收、毛利率雙雙優於公司原先財測，更釋出對未來數年的擴產計畫。ASML宣布，因AI帶動先進邏輯與記憶體晶片需求持續增長，將於2027年同步擴充Low NA EUV與浸潤式DUV微影設備產能各30%，並評估2028年再進一步增加30%產能，顯示公司看好AI晶片需求將......
